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Fiche 187. Les réseaux de caractéristiques. Le régime statique

Pages 486 à 487

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  • Gautron, L.,
  • Balland, C.,
  • Cirio, L.,
  • Mauduit, R.,
  • Picon, O.
  • et Wenner, É.
(2021). Fiche 187. Les réseaux de caractéristiques. Le régime statique. Dans
  • L. Gautron,
  • C. Balland,
  • L. Cirio,
  • R. Mauduit,
  • O. Picon
  • et É. Wenner
Physique : Licence, CAPES, Prépas (p. 486-487). Dunod. https://doi.org/10.3917/dunod.gautr.2021.01.0486.

  • Gautron, Laurent.,
  • et al.
« Fiche 187. Les réseaux de caractéristiques. Le régime statique ». Physique Licence, CAPES, Prépas, Dunod, 2021. p.486-487. CAIRN.INFO, stm.cairn.info/physique--9782100825912-page-486?lang=fr.

  • GAUTRON, Laurent,
  • BALLAND, Christophe,
  • CIRIO, Laurent,
  • MAUDUIT, Richard,
  • PICON, Odile
  • et WENNER, Éric,
2021. Fiche 187. Les réseaux de caractéristiques. Le régime statique. In : Physique Licence, CAPES, Prépas. Paris : Dunod. Tout en fiches, p.486-487. DOI : 10.3917/dunod.gautr.2021.01.0486. URL : https://stm.cairn.info/physique--9782100825912-page-486?lang=fr.

https://doi.org/10.3917/dunod.gautr.2021.01.0486


Le fonctionnement intrinsèque du transistor est obtenu à partir de six grandeurs (IB, IC, IE, VCE, VBE et VCB).
Fiche 186
On représente alors l’évolution de ces quatre grandeurs dans un graphe, communément appelé réseau quatre quadrants (figure 187.1). On parlera ici de régime statique dans la mesure où l’évolution de ces grandeurs est obtenue à partir de sources continues.
Ce graphe nous conduit à faire les remarques suivantes :
la caractéristique IB = f(VBE) est en tout point semblable à la caractéristique d’une diode à jonction. On retrouve ainsi la tension de seuil qui représentait la tension de déblocage de la jonction PN (approximativement 0,7 V pour le silicium et 0,3 V pour le germanium) ;
la pente de la caractéristique IC = f(IB) indique le gain en courant statique β du transistor. Notons que cette caractéristique est obtenue pour une valeur de VCE constante ;
le réseau de caractéristiques IC = f(VCE) est obtenu pour des valeurs constantes du courant base IB.
Ce dernier quadrant nous inspire plusieurs réflexions car on distingue quatre zones bien particulières :
la zone de saturation du transistor apparaît pour les faibles valeurs de VCE (autour de 0,3 V) que l’on notera VCESAT. Dans cette zone, il n’existe pas de lien de proportionnalité direct entre le courant IC et IB ce qui interdit l’écriture IC = βIB ;
la zone linéaire (ou mode actif direct) du transistor est une région dans laquelle on peut utiliser la relation IC = β…


Date de mise en ligne : 13/02/2024

https://doi.org/10.3917/dunod.gautr.2021.01.0486

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